"Роснано" получит частицы "Ситроникса" и "Ангстрема"

В компаниях утверждают, что принципиально "Роснано" одобрила проекты и станет не только их кредитором, но и соучредителем.

Российская корпорация нанотехнологий ("Роснано") рассмотрела вчера проекты создания в России производств микросхем с топологией от 90 нм до 130 нм (в одном метре миллиард нанометров). Рассматривались заявки двух производителей микроэлектроники — "Ситроникса" и "Ангстрема", причем первый проходил заключительный четвертый этап согласования проекта.

Источник, близкий к "Ситрониксу", сообщил, что наблюдательный совет "Роснано" решил выделить более $200 млн на создание производства микросхем с топологией 90 нм. "К концу 2011 — началу 2012 года мы планируем наладить серийный выпуск продукции",— подтвердила вице-президент "Ситроникса" Ирина Ланина. В начале этого года "Ситроникс" уже начал производство чипов с топологическим размером 180 нм. "Роснано" получит около 50% уставного капитала компании, которая будет создана совместно с "Ситрониксом" позже, уточняет близкий к ним источник.

"Ангстрем" вчера также получил одобрение своего проекта в первой инстанции — научно-техническом совете "Роснано". В сообщении компании говорится, что проекту необходимы инвестиции в размере €190 млн или $265 млн. Председатель совета директоров группы компаний "Ангстрем" Дмитрий Милованцев сообщил, что "структуру финансирования еще не обсудили". "Скорее всего, это будет кредит плюс прямая инвестиция, в результате которой "Роснано" получит долю в "Ангстрем-Т" (непосредственном исполнителе проекта.— "Ъ")",— пояснил он. Одним из основных бенефициаров "Ангстрема" является Сергей Веремеенко, бывший партнер сенатора от Тувы Сергея Пугачева по Межпромбанку. Завод "Анстрема" должен начать выпуск изделий в 2011 году с топологией по крайней мере 130 нм, но, возможно, удастся договориться с властями США о лицензии и на 90 нм, говорит господин Милованцев. Создаваемая сейчас инфраструктура позволит развить технологии производства до 65 нм "без существенных капиталовложений", утверждает он.

Руководитель департамента корпоративных коммуникаций "Роснано" Елена Ковалева отказалась вчера давать комментарии, сославшись на то, что наблюдательный совет госкорпорации еще не завершился.

Технология 130 нм начала использоваться в начале века: например, в январе 2002 года Intel представила ядро Northwood (Pentium 4), которое было создано с помощью техпроцесса 130 нм и работало на частоте 1,6-3,4 ГГц. Первым процессором Intel, выпущенным по технологии 90 нм, стал Pentium 4 на ядре Prescott (2,4-3,8 ГГц), представленный в феврале 2004 года. Сейчас Intel производит процессоры по технологии 45 нм, а в четвертом квартале 2009 года планирует перейти на технологию 32 нм.

"В мире много заводов, которые производят полупроводники. Поэтому успех проектов будет определяться тем, смогут ли компании убедить потребителей покупать их микросхемы или нет",— отметил глава Intel в СНГ Дмитрий Конаш. Глава Ассоциации производителей электроники Иван Покровский считает, что компаниям придется выходить на зарубежный рынок, чтобы окупить инвестиции. По данным ассоциации, в прошлом году объем рынка полупроводников в России составил около $1 млрд.