18 декабря 2008, 14:52

IBM, Toshiba и AMD показали 22-нанометровую память

Компании IBM, Toshiba и AMD на выставке International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско представили первую в мире ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нанометровой технологии.
Впервые она была анонсирована в конце августа текущего года.

Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составляет 0,128 квадратного микрометра. Ранее площадь самой маленькой ячейки памяти SRAM составляла 0,274 квадратного микрометра. Площадь ячейки SRAM процессоров Intel, выполненных по 45-нанометровому техпроцессу, составляет 0,346 квадратного микрометра.

В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, созданные по технологии high-k/metal gate. Последняя подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния, что позволяет уменьшить размер транзистора.

О том, когда начнется выпуск 22-нанометровой памяти, не сообщается. Вместо этого разработчики подчеркнули, что технология, использованная при производстве 22-нанометровой ячейки памяти, позволит в перспективе уменьшить ее площадь до 0,063 квадратного микрометра.

Модуль памяти SRAM являются частью процессора. Он служит для временного хранения данных, обрабатываемых чипом.

Чтобы получать лучшие материалы дня, недели, месяца, подписывайтесь на наш канал. Здесь мы добавляем смысла каждой новости.