Ученые НИТУ МИСиС разработали способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами — это позволит конструировать миниатюрные изделия электроники. Но пока говорить о промышленном производстве рано, ученым необходимо провести дополнительные исследования, сообщает в понедельник газета «Известия».
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — сказал изданию главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский.
Он также отметил, что с помощью данного метода можно быстро, просто и дешево получить материал с контролируемой запрещенной зоной. Позже его можно будет применить в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии.
