15 мая 2007, 12:48

Samsung приступит к массовому производству DDR3

Более 20 решений Samsung Electronics в области разработки чипов памяти стандарта DDR3 (Double Data Rate – версия 3) одобрены компанией Intel для использования в новом поколении чипов памяти. Всего в программе утверждения было представлено 21 решение. Компания сообщает, что это наибольшее число разработок, которые успешно прошли программу одновременно.

В число разработок вошло 13 модулей и 8 монолитных устройств с плотностью записи 512 мегабит и 1 гигабит соответственно, обеспечивающих пропускную способность 800 и 1066 Мбит/с. Кроме того, на проходящей в настоящее время конференции Microsoft WinHEC 2007 компания планирует представить настольный компьютер, оснащенный четырьмя 2-ГБ модулями DDR3 с шиной 1333 Мбит/с – самой скоростной и емкой памятью DDR3 для игровых компьютеров.

Память DDR3 отличается от DDR2 как минимум вдвое более высокой пропускной способностью, лучше подходит для многопоточной обработки данных и операционной системы Vista. Более того, память DDR3 может оснащаться датчиком температуры.

Массовое производство чипов DDR3 компания Samsung планирует начать в III квартале 2007 года.